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少妇空姐 规范征求倡导!2项AlN抛光片测试设施+ UIS应力下GaN HEMT在线测试设施征求倡导!

发布日期:2025-03-19 17:54    点击次数:140

少妇空姐 规范征求倡导!2项AlN抛光片测试设施+ UIS应力下GaN HEMT在线测试设施征求倡导!

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近日,第三代半导体产业工夫鼎新政策定约接踵完成3项团体规范征求倡导稿的编制,肃肃面向定约成员单元征求倡导,为期一个月。

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》》UIS应力下GaN HEMT在线测试设施征求倡导

2025年1月23日,由电子科技大学牵头草拟的规范T/CASAS 052—202X《非钳位理性负载开关应力下GaN HEMT在线测试设施》已完成征求倡导稿的编制,肃肃面向定约成员单元征求倡导,为期一个月。征求倡导稿仍是过通知处邮件发送至定约成员单元;非定约成员单元如有需要,可发邮件至casas@casa-china.cn。T/CASAS 052—202X《非钳位理性负载开关应力下GaN HEMT在线测试设施》刻画了扩充非钳位理性负载应力下氮化镓高电子移动率晶体管在线测试设施,包括测试旨趣、测试条目、测试规范、数据处理和考试论说。

本文献适用于适用于封装级GaN HEMT器件的出产研发、特点表征、量产测试、可靠性评估及利用评估等责任场景。

电子科技大学功率集成工夫实践室(Power Integrated Technology Lab, PITeL)附庸于电子科技大学集成电路科学与工程学院,为四川省功率半导体工夫工程商榷中心,是电子薄膜与集成器件寰宇要点实践室和电子科技大学集成电路商榷中心的蹙迫构成部分。现存18名教养/商榷员、9名副教养/副商榷员,285名在读全日制硕士商榷生和69名博士商榷生,被国际同业誉为“大众功率半导体工夫领域最大的学术商榷团队”和 “功率半导体领域商榷最为全面的学术团队”。在团队负责东说念目的波教养的率领下,该实践室两次牵头获取国度科学工夫越过奖二等奖和四川省科学工夫越过奖一等奖,共获省部级以上科研奖励15项。连年来,实践室共发表SCI收录论文500余篇,获授权发明专利1462项。同期,其产学研相助生效显赫,部分居品挫折国际把持、完了批量出产,为企业新增凯旋经济效益越过百亿元,推进了我国功率半导体行业的发展。

》》2项AlN抛光片测试设施征求倡导

2025年1月23日,由奥趋光电工夫(杭州)有限公司牵头草拟的规范T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测设施 腐蚀坑密度测量法》、由中国科学院半导体商榷所牵头草拟的规范T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片领受通盘测试设施》已完成征求倡导稿的编制,肃肃面向定约成员单元征求倡导,为期一个月。征求倡导稿仍是过通知处邮件发送至定约成员单元。非定约成员单元如有需要,可发邮件至casas@casa-china.cn。

T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测设施 腐蚀坑密度测量法》刻画了用择优化腐蚀工夫测试氮化铝抛光片中位错密度的设施,包括设施旨趣、仪器建造、测试条目、样品、测试设施、销毁策划和测试论说。本文献适用于抛光加工后位错密度小于10*7 个/cm²的氮化铝抛光片位错密度的测试,适用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直径氮化铝抛光片的测试。氮化铝外延片可参照使用。

T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片领受通盘测试设施》刻画了氮化铝(AlN)抛光片光领受通盘的测试设施,包括旨趣、仪器建造、测试条目、样品、测试设施、销毁策划和测试论说。本文献适用于氮化铝抛光片的光学质料摈弃和评估。氮化铝外延片可参照使用。

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(转自:第三代半导体产业)少妇空姐



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